第Ⅰ题（10分）
A、B、C、D是短周期元素，A原子有两个电子层，其最高正氧化态与负氧化态代数和为零。B原子的最外层电子排布式为nsnnp2n。C、D两原子的最外层电子数分别是次外层电子数的一半，其中C为半导体材料。试写出：
1．画出B原子的轨道排布式 ；
2．A、B元素形成的酸酐的化学式 ；
3．D元素的单质与水反应的化学方程式 ；
4．写出B、C元素形成的化合物与强碱反应的离子方程式 ；
5．A、C元素气态氢化物的稳定性大小 < (用分子式表示)。
第Ⅱ题（8分）
氮化硅是一种高温陶瓷材料，它的硬度大、熔点高、化学性质稳定，工业上曾普遍采用高纯硅与纯氮在1 300 ℃下反应制得。
1．根据性质，推测氮化硅的用途是 。（填序号）
A．制汽轮机叶片 B．制有色玻璃 C．制光导纤维 D．作润滑材料
2．根据元素周期律知识，写出氮化硅的化学式 。
3．氮化硅陶瓷抗腐蚀能力强，除氢氟酸外，它不与其它无机酸反应。试写出该陶瓷被氢氟酸腐蚀的化学方程式 。
4．现用四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下，加强热发生反应，可得较高纯度的氮化硅，写出反应的化学方程式 。
